English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFPF1C2P5BF07A
元器件型号详细信息
原厂型号
FPF1C2P5BF07A
摘要
MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
详情
MOSFET - 阵列 650V 36A 250W 底座安装 F1
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
5 N 沟道（太阳能逆变器）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
F1 模块
供应商器件封装
F1
基本产品编号
FPF1C2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FPF1C2P5BF07A
相关文档
规格书
1(FPF1C2P5BF07A)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
-
替代型号
-