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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7523D1
摘要
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8™
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
FETKY™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
210 pF @ 25 V
FET 功能
肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro8™
封装/外壳
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7523D1
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HTML 规格书
1(IRF7523D1)
EDA 模型
1(IRF7523D1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-