IRF1010NPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRF1010NPBF

摘要

MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB

详情

通孔 N 通道 55 V 85A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

管件

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

85A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

11 毫欧 @ 43A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

120 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3210 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

180W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IRF1010

其它名称

*IRF1010NPBF

SP001563032

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF1010NPBF

价格

数量: 10000

单价: $5.80349
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 5000

单价: $5.95621
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $6.1853
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.64347
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $8.01796
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $9.7589
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $12.139
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $13.51
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRF1010ZPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,023
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 直接

型号 : IRF1018EPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.57000
替代类型. : 类似

型号 : DMNH6008SCTQ

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 22
单价. : ¥14.79000
替代类型. : 类似

型号 : STP60NF06L

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,007
单价. : ¥17.09000
替代类型. : 类似

型号 : STP76NF75

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥20.99000
替代类型. : 类似

型号 : PHP191NQ06LT,127

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,261
单价. : ¥26.79000
替代类型. : 类似

型号 : STP80NF55-06

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥28.78000
替代类型. : 类似

TSM-114-03-T-SV-P-TR RT0805BRC0727RL 2177971053 SFMC-144-02-H-D SIT8008AC-83-33E-80.000000

IRF1010NPBF

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