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20250407
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元器件资讯
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SI5857DU-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI5857DU-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 6A(Tc) 2.3W(Ta),10.4W(Tc) PowerPAK® CHIPFET™ 单
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
LITTLE FOOT®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
58 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
480 pF @ 10 V
FET 功能
肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
2.3W(Ta),10.4W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® CHIPFET™ 单
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 单
基本产品编号
SI5857
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI5857DU-T1-GE3
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规格书
1(SI5857DU)
价格
-
替代型号
-
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