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GermanySCT10N120H
元器件型号详细信息
原厂型号
SCT10N120H
摘要
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 12A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
690 毫欧 @ 6A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
290 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SCT10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SCT10N120H-ND
497-SCT10N120HCT
497-SCT10N120HDKR
497-SCT10N120HTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCT10N120H
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规格书
1(SCT10N120H)
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1(SCT10N120H obs 14/Jun/2022)
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1(SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
EDA 模型
1(SCT10N120H by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-