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GermanyBSP100,135
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP100,135
摘要
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 3.2A（Ta） 8.3W（Tc） SOT-223
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
8.3W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
568-6956-2
BSP100135
2156-BSP100135
BSP100,135-ND
568-6956-1
NEXNEXBSP100,135
BSP100 /T3-ND
BSP100 /T3
568-6956-6
934033440135
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. BSP100,135
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规格书
1(BSP100)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 05/Jul/2015)
PCN 设计/规格
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PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSP100)
EDA 模型
1(BSP100,135 by SnapEDA)
价格
-
替代型号
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