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GermanySTB7NK80Z-1
元器件型号详细信息
原厂型号
STB7NK80Z-1
摘要
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
详情
通孔 N 通道 800 V 5.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1138 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
STB7NK80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STB7NK80Z-1-ND
497-12539-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB7NK80Z-1
相关文档
规格书
1(ST(B,P)7NK80Z(-1,FP))
其他相关文档
1(STB7NK80Z-1 View All Specifications)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013)
PCN 封装
1(Box Label Chg 28/Jul/2016)
HTML 规格书
1(ST(B,P)7NK80Z(-1,FP))
EDA 模型
1(STB7NK80Z-1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $14.11243
包装: 管件
最小包装数量: 1000
包装: 管件
最小包装数量: 1000
替代型号
型号 : FQI7N80TU
制造商 : onsemi
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