元器件型号详细信息

原厂型号
RHRD660S9A-F085
摘要
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
详情
二极管 600 V 6A 表面贴装型 TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.1 V @ 6 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
RHRD660

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

RHRD660S9A_F085DKR
RHRD660S9A_F085CT-ND
RHRD660S9A-F085CT
RHRD660S9A_F085DKR-ND
RHRD660S9AF085
RHRD660S9A-F085DKR
RHRD660S9A_F085TR
RHRD660S9A_F085CT
RHRD660S9A-F085TR
RHRD660S9A_F085TR-ND
RHRD660S9A_F085

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/onsemi RHRD660S9A-F085

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1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN 设计/规格
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()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
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价格

-

替代型号

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制造商 : onsemi
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制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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