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最后更新

20250713
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NSS40300DDR2G

元器件型号详细信息

原厂型号
NSS40300DDR2G
摘要
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 40V 3A 100MHz 653mW 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
170mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
180 @ 1A，2V
功率 - 最大值
653mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NSS40300

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

NSS40300DDR2GOSTR
ONSONSNSS40300DDR2G
NSS40300DDR2GOSCT
2156-NSS40300DDR2G-OS
NSS40300DDR2GOSDKR
NSS40300DDR2G-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/onsemi NSS40300DDR2G

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规格书
1(NSS40300DDR2G)
环保信息
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PCN 组装/来源
1(Assembly Change 06/Jan/2022)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NSS40300DDR2G)
EDA 模型
1(NSS40300DDR2G by Ultra Librarian)

价格

数量: 25000
单价: $2.93082
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 12500
单价: $2.98988
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.10667
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $3.27017
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $3.50378
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.4381
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.3723
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.892
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.71
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.50378
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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数量: 100
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数量: 10
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

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