NDD60N550U1T4G

元器件型号详细信息

原厂型号

NDD60N550U1T4G

摘要

MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 8.2A（Tc） 94W（Tc） DPAK

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

8.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

550 毫欧 @ 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

18 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

540 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

94W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DPAK

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

NDD60

其它名称

2156-NDD60N550U1T4G-ONTR

ONSONSNDD60N550U1T4G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NDD60N550U1T4G

价格

-

替代型号

型号 : FCD600N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 20,725
单价. : ¥16.14000
替代类型. : 类似

型号 : STD12N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,462
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 直接

型号 : SIHD7N60E-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 165
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似

型号 : TK7P60W,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
替代类型. : 类似

型号 : TK560P65Y,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 3,891
单价. : ¥10.57000
替代类型. : 类似

型号 : SPD07N60C3ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4
单价. : ¥21.86000
替代类型. : 类似

型号 : TK560P60Y,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 9,829
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 类似

型号 : TK10P60W,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 11,062
单价. : ¥24.17000
替代类型. : 类似

型号 : TK9P65W,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥6.96396
替代类型. : 类似

型号 : TK11P65W,RQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥13.75000
替代类型. : 类似

型号 : TK8P60W5,RVQ

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 15,673
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似

351-10-161-00-004101 SG7050CAN 8.000000M-TJGAB RCMS0214702FHA20 CC0402KRX5R8BB224 346-064-558-878

NDD60N550U1T4G

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