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GermanyNGTB35N60FL2WG
元器件型号详细信息
原厂型号
NGTB35N60FL2WG
摘要
IGBT TRENCH/FS 600V 70A TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 70 A 300 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
70 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，35A
功率 - 最大值
300 W
开关能量
840µJ（开），280µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
125 nC
25°C 时 Td（开/关）值
72ns/132ns
测试条件
400V，35A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
68 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
NGTB35
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2832-NGTB35N60FL2WG
2156-NGTB35N60FL2WG-OS
ONSONSNGTB35N60FL2WG
NGTB35N60FL2WGOS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTB35N60FL2WG
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规格书
1(NGTB35N60FL2WG)
环保信息
()
特色产品
1(On Semi - FL2 Series Field Stop 2 IGBTs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Contact Mask Change 17/Dec/2020)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 22/May/2020)
HTML 规格书
1(NGTB35N60FL2WG)
EDA 模型
1(NGTB35N60FL2WG by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : FGHL40T65MQD
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