元器件型号详细信息

原厂型号
FJ4B01100L1
摘要
MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 2.2A(Ta) 360mW(Ta) XLGA004-W-0808-RA01
原厂/品牌
Panasonic Electronic Components
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Panasonic Electronic Components
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
74 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
459 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
XLGA004-W-0808-RA01
封装/外壳
4-XFLGA,CSP

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

P123942CT
P123942TR
P123942DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Panasonic Electronic Components FJ4B01100L1

相关文档

规格书
1(FJ4B01100L1 Datasheet)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devs 30/Apr/2021)

价格

-

替代型号

型号 : KFJ4B01100L1
制造商 : Nuvoton Technology Corporation
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似