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GermanyFQT2P25TF
元器件型号详细信息
原厂型号
FQT2P25TF
摘要
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
详情
表面贴装型 P 通道 250 V 550mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
550mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 275mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
FQT2P25
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQT2P25TFTR
FQT2P25TFDKR
FQT2P25TFCT
FQT2P25TF-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQT2P25TF
相关文档
规格书
1(FQT2P25)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
-
替代型号
型号 : BSP317PH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥7.63000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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