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GermanyIKB30N65EH5ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IKB30N65EH5ATMA1
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 55 A 188 W 表面贴装型 PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™ 5
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
188 W
开关能量
870µJ（开），300µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
70 nC
25°C 时 Td（开/关）值
24ns/159ns
测试条件
400V，30A，22 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
75 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
基本产品编号
IKB30N65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001502648
448-IKB30N65EH5ATMA1TR
IKB30N65EH5ATMA1-ND
448-IKB30N65EH5ATMA1CT
448-IKB30N65EH5ATMA1DKR
2156-IKB30N65EH5ATMA1
IFEINFIKB30N65EH5ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IKB30N65EH5ATMA1
相关文档
规格书
1(IKB30N65EH5)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 18/Jan/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
价格
数量: 500
单价: $21.10058
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $21.59664
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 100
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : AIKB30N65DF5ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,686
单价. : ¥42.37000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥42.37000
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