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元器件型号详细信息
原厂型号
IPG20N06S3L-23
摘要
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
详情
MOSFET - 阵列 55V 20A 45W 表面贴装型 PG-TDSON-8-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
42nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2950pF @ 25V
功率 - 最大值
45W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-4
基本产品编号
IPG20N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IPG20N06S3L-23
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规格书
1(IPG20N06S3L-23)
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HTML 规格书
1(IPG20N06S3L-23)
价格
-
替代型号
-