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Germany1N4755A-T
元器件型号详细信息
原厂型号
1N4755A-T
摘要
DIODE ZENER 43V 1W DO41
详情
二极管 - 齐纳 43 V 1 W ±5% 通孔 DO-41
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
43 V
容差
±5%
功率 - 最大值
1 W
阻抗（最大值）(Zzt)
70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 32.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装
DO-41
基本产品编号
1N4755
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
1N4755ATR-ND
1N4755ACT
1N4755ADITR
1N4755AT
1N4755ATR
1N4755ACT-ND
1N4755ADICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Diodes Incorporated 1N4755A-T
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规格书
1(1N4728A-4761A)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(1N4728A-4761A)
EDA 模型
1(1N4755A-T by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : 1N4755A
制造商 : onsemi
库存 : 7,503
单价. : ¥2.38000
替代类型. : 直接
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型号 : 1N4755AP/TR8
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥15.02471
替代类型. : 直接
库存 : 0
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型号 : 1N4755A-T50A
制造商 : onsemi
库存 : 6,000
单价. : ¥2.78000
替代类型. : 升级
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型号 : BZX85B43-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥3.02000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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型号 : BZX85C43-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 21,540
单价. : ¥3.02000
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制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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制造商 : onsemi
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型号 : 1N4755A-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : 1N4754A
制造商 : onsemi
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型号 : BZX85C43-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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型号 : 2EZ43D5
制造商 : Microchip Technology
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型号 : 1N4755A-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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制造商 : Microchip Technology
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型号 : 2EZ43D5-TP
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