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GermanyDMG7702SFG-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG7702SFG-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta） 890mW（Ta） PowerDI3333-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4310 pF @ 15 V
FET 功能
肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
890mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
DMG7702
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
DMG7702SFG-13DI
DMG7702SFG-13DITR
-DMG7702SFG-13DITR
-DMG7702SFG-13DICT
DMG7702SFG-13DIDKR
-DMG7702SFG-13DIDKR
DMG7702SFG-13DICT
DMG7702SFG-13DI-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG7702SFG-13
相关文档
规格书
1(DMG7702SFG)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 29/May/2020)
HTML 规格书
1(DMG7702SFG)
价格
-
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