English
Spain
Rusia
Italy
GermanyDMG4468LFG-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG4468LFG-7
摘要
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 7.62A（Ta） 990mW（Ta） U-DFN3030-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
22 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.62A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 11.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
867 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
990mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN3030-8
封装/外壳
8-PowerUDFN
基本产品编号
DMG4468
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-DMG4468LFG-7DIDKR
DMG4468LFG-7DIDKR
-DMG4468LFG-7DICT
DMG4468LFG-7DI-ND
DMG4468LFG-7DITR
-DMG4468LFG-7DITR
DMG4468LFG-7DICT
DMG4468LFG-7DI
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG4468LFG-7
相关文档
规格书
1(DMG4468LFG)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 15/May/2019)
HTML 规格书
1(DMG4468LFG)
价格
数量: 30000
单价: $2.53867
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $2.60547
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $2.70568
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $2.90611
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
型号 : RQ3E100MNTB1
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 5,261
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 类似
库存 : 5,261
单价. : ¥8.27000
替代类型. : 类似
型号 : RQ3E080BNTB
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 41,389
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似
库存 : 41,389
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似