IPW60R190E6FKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPW60R190E6FKSA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

详情

通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

30

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

20.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

190 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 630µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

63 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1400 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

151W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO247-3-1

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IPW60R190

其它名称

IPW60R190E6

SP000797384

IPW60R190E6-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW60R190E6FKSA1

价格

数量: 2000

单价: $17.93979
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $18.88396
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $22.39106
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $26.303
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $32.102
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $35.77
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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库存 : 0
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥34.03000
替代类型. : 类似

型号 : STW26N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥29.65000
替代类型. : 类似

型号 : TK20N60W5,S1VF

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥31.16000
替代类型. : 类似

型号 : STW24N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 590
单价. : ¥26.87000
替代类型. : 类似

型号 : IXFH50N60P3

制造商 : IXYS
库存 : 2,723
单价. : ¥87.53000
替代类型. : 类似

型号 : STW27N60M2-EP

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥30.13000
替代类型. : 类似

型号 : STW18N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 600
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似

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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥67.34000
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M4A3-384/160-12YI 333-021-523-104 GBE07DHRN RN73H2ETTD1130D25 CD4850D4VR

IPW60R190E6FKSA1

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