元器件型号详细信息

原厂型号
IPD25CN10NGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 39µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2070 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
71W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD25CN10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPD25CN10NGATMA1CT
INFINFIPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1DKR
SP001127810
IPD25CN10NGATMA1TR
2156-IPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1

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仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)

价格

数量: 12500
单价: $4.54098
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $4.71836
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $4.96672
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $5.32151
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.74056
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $8.1598
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.462
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.69
包装: 剪切带(CT)
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.69
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : AOD4126
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 22,815
单价. : ¥8.19000
替代类型. : 类似