IPD30N06S223ATMA2

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD30N06S223ATMA2

摘要

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

详情

表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

26 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

23 毫欧 @ 21A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

32 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

901 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

100W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD30N06

其它名称

SP001061722

448-IPD30N06S223ATMA2DKR

2156-IPD30N06S223ATMA2

448-IPD30N06S223ATMA2TR

INFINFIPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2-ND

448-IPD30N06S223ATMA2CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD30N06S223ATMA2

价格

数量: 12500

单价: $4.30895
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $4.47727
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.71293
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $5.04958
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.39608
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.7429
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.929
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.13
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.04958
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.39608
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.7429
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.929
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.13
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : AOD442

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 345,788
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 类似

型号 : SQD30N05-20L_GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,000
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似

934881001 450-10-238-00-001101 416-91-220-41-007000 1-794612-2 DW-04-15-L-T-200

IPD30N06S223ATMA2

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