元器件型号详细信息

原厂型号
VESD12A1C-HD1-GS08
摘要
TVS DIODE 12VWM 23VC LLP1006-2L
详情
23V 夹子 4A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 LLP1006-2L
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000

技术参数

制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
类型
齐纳
单向通道
1
电压 - 反向断态(典型值)
12V(最大)
电压 - 击穿(最小值)
13.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
23V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)
4A(8/20µs)
功率 - 峰值脉冲
92W
电源线路保护
应用
通用
不同频率时电容
30pF @ 1MHz
工作温度
-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-882
供应商器件封装
LLP1006-2L
基本产品编号
VESD12

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

112-VESD12A1C-HD1-GS08DKR
VESD12A1C-HD1-GS08GICT
VESD12A1C-HD1-GS08GITR-ND
112-VESD12A1C-HD1-GS08TR
112-VESD12A1C-HD1-GS08CT
VESD12A1C-HD1-GS08GICT-ND
VESD12A1C-HD1-GS08-ND
VESD12A1C-HD1-GS08GITR

所属分类/目录

/产品索引 /电路保护/瞬态电压抑制器(TVS)/TVS 二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VESD12A1C-HD1-GS08

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1(VESD12A1C-HD1)

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