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GermanyAPT95GR65JDU60
元器件型号详细信息
原厂型号
APT95GR65JDU60
摘要
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详情
IGBT NPT 650 V 135 A 446 W 底座安装 SOT-227
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
135 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
380 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，95A
功率 - 最大值
446 W
输入类型
标准
栅极电荷
420 nC
25°C 时 Td（开/关）值
29ns/226ns
测试条件
433V，95A，4.3 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227
基本产品编号
APT95GR65
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
150-APT95GR65JDU60
APT95GR65JDU60-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microsemi Corporation APT95GR65JDU60
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环保信息
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价格
-
替代型号
-