元器件型号详细信息

原厂型号
MURTA200120R
摘要
DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
详情
二极管阵列 1 对共阳极 1200 V 100A 底座安装 三塔
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
10 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
二极管配置
1 对共阳极
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)
100A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.6 V @ 100 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
25 µA @ 1200 V
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
三塔
供应商器件封装
三塔
基本产品编号
MURTA200120

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/二极管阵列/GeneSiC Semiconductor MURTA200120R

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规格书
1(MURTA20060 thru MURTA200120R)
HTML 规格书
1(MURTA20060 thru MURTA200120R)

价格

数量: 48
单价: $1155.30292
包装: 散装
最小包装数量: 48

替代型号

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