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20250516
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元器件资讯
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MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
元器件型号详细信息
原厂型号
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
摘要
IC FLASH 512GBIT PARALLEL 267MHZ
详情
FLASH - NAND(TLC) 存储器 IC 512Gb 并联 267 MHz
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NAND(TLC)
存储容量
512Gb
存储器组织
64G x 8
存储器接口
并联
时钟频率
267 MHz
写周期时间 - 字,页
-
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
-
封装/外壳
-
供应商器件封装
-
基本产品编号
MT29F512G08
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR-ND
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:DTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
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-
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