元器件型号详细信息

原厂型号
HN1A01FU-GR,LF
摘要
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP(双) 50V 150mA 80MHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
80MHz
工作温度
125°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
HN1A01

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FU-GRLFTR
HN1A01FUGRLFTDKR
HN1A01FUGRLFTDKR-ND
HN1A01FU-GR,LF(B
HN1A01FU-GR,LF(T
HN1A01FU-GRLFDKR-ND
HN1A01FUGRLFT
264-HN1A01FU-GR,LFCT
HN1A01FU-GRLFTR-ND
HN1A01FUGRLFTCT-ND
HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTTR-ND
HN1A01FU-GRLFDKR
HN1A01FU-GRLFCT-ND
HN1A01FUGRLFTTR
264-HN1A01FU-GR,LFTR
264-HN1A01FU-GR,LFDKR
HN1A01FU-GR,LKF(T

所属分类/目录

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价格

数量: 150000
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数量: 75000
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