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GermanySI6473DQ-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI6473DQ-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 6.2A（Ta） 1.08W（Ta） 8-TSSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
450mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
基本产品编号
SI6473
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI6473DQ-T1-GE3
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规格书
1(SI6473DQ)
环保信息
()
HTML 规格书
1(SI6473DQ)
价格
-
替代型号
-