SIHP30N60E-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIHP30N60E-GE3

摘要

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

详情

通孔 N 通道 600 V 29A（Tc） 250W（Tc）

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

69 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

E

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

29A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

125 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

130 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2600 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

250W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SIHP30

其它名称

SIHP30N60E-GE3TRINACTIVE

SIHP30N60E-GE3DKR-ND

SIHP30N60E-GE3TR

SIHP30N60E-GE3TR-ND

SIHP30N60E-GE3CT-ND

SIHP30N60E-GE3DKR

SIHP30N60E-GE3CT

SIHP30N60E-GE3DKRINACTIVE

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHP30N60E-GE3

价格

数量: 2000

单价: $23.86939
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $25.12567
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $29.79178
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $34.9963
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $42.715
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $47.54
包装: 管件
最小包装数量: 1

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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 331
单价. : ¥51.36000
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替代类型. : 类似

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制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥40.15000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R099CPXKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,988
单价. : ¥74.73000
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制造商 : Infineon Technologies
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ATS-18H-184-C2-R0 RN73H2BTTD7770B10 SMAJ6.5CA BCV62B/DG/B2215 CX10S-HGCAHC-P-A-DK00000

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