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GermanyMT3S111TU,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
MT3S111TU,LF
摘要
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
详情
RF 晶体管 NPN 6V 100mA 10GHz 800mW 表面贴装型 UFM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
6V
频率 - 跃迁
10GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
增益
12.5dB
功率 - 最大值
800mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 30mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
3-SMD，扁平引线
供应商器件封装
UFM
基本产品编号
MT3S111
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
MT3S111TULFDKR
MT3S111TU,LF(T
MT3S111TU,LF(B
MT3S111TULFCT
MT3S111TULFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111TU,LF
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规格书
1(MT3S111TU)
价格
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包装: 卷带（TR）
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