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GermanyNGTG50N60FWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NGTG50N60FWG
摘要
IGBT 600V 100A 223W TO247
详情
IGBT 沟道 600 V 100 A 223 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
223 W
开关能量
1.1mJ（开），1.2mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
310 nC
25°C 时 Td（开/关）值
117ns/285ns
测试条件
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
NGTG50
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NGTG50N60FWGOS
2156-NGTG50N60FWG-ON
ONSONSNGTG50N60FWG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTG50N60FWG
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规格书
1(NGTG50N60FWG)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
HTML 规格书
1(NGTG50N60FWG)
价格
-
替代型号
型号 : NGTB50N65FL2WG
制造商 : onsemi
库存 : 33
单价. : ¥52.86000
替代类型. : 类似
库存 : 33
单价. : ¥52.86000
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型号 : RJH60D7DPK-00#T0
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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库存 : 0
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型号 : RJH60D7BDPQ-E0#T2
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : RJH60D7DPM-00#T1
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
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库存 : 0
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型号 : RJH60F7DPQ-A0#T0
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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