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GermanyRSD201N10TL
元器件型号详细信息
原厂型号
RSD201N10TL
摘要
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
46 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
RSD201
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
RSD201N10TLDKR
RSD201N10TLCT
RSD201N10TLTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RSD201N10TL
相关文档
规格书
1(RSD201N10)
EDA 模型
1(RSD201N10TL by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : STD25NF10LT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥17.41000
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型号 : IRFR3410TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
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