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元器件型号详细信息
原厂型号
G3R30MT12J
摘要
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 96A（Tc） 459W（Tc） TO-263-7
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G3R™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
96A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 50A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
155 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3901 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
459W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
G3R30
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J
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规格书
1(G3R30MT12J)
EDA 模型
1(G3R30MT12J by Ultra Librarian)
价格
数量: 250
单价: $147.64064
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $149.8823
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替代型号
-