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元器件型号详细信息
原厂型号
TP65H480G4JSG-TR
摘要
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 3.6A（Tc） 13.2W（Tc） 3-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
14 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
560 毫欧 @ 3.4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
13.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PQFN（5x6）
封装/外壳
3-SMD，扁平引线
基本产品编号
TP65H480
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TP65H480G4JSG-TR
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规格书
1(TP65H480G4JSG)
HTML 规格书
1(TP65H480G4JSG)
EDA 模型
1(TP65H480G4JSG-TR by Ultra Librarian)
价格
数量: 4000
单价: $15.87528
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
数量: 2000
单价: $15.87528
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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