IPD50N06S4L08ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD50N06S4L08ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

7.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 35µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

64 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4780 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

71W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD50

其它名称

INFINFIPD50N06S4L08ATMA1

2156-IPD50N06S4L08ATMA1-ITTR-ND

IPD50N06S4L08ATMA1TR

IPD50N06S4L-08

IPD50N06S4L-08-ND

2156-IPD50N06S4L08ATMA1

SP000374322

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD50N06S4L08ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD50N06S4L08ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,495
单价. : ¥10.49000
替代类型. : 直接

型号 : IRLR3636TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,841
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR2405TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,854
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR3806TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 62,691
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR2307ZTRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,339
单价. : ¥13.12000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR2405TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 82,673
单价. : ¥13.36000
替代类型. : 类似

型号 : SQD97N06-6M3L_GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似

SIT3372AC-2E9-30NZ160.000000 AX5DCF3-155.5200T LC06511D04MXTAG CPS22-NO00A10-SNCCWTWF-AI0RGVAR-W1069-S H7VVH-0910M

IPD50N06S4L08ATMA1

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号