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GermanyFDP100N10
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP100N10
摘要
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 75A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
47 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FAIFSCFDP100N10
2156-FDP100N10-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP100N10
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规格书
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视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
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特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
()
EDA 模型
1(FDP100N10 by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $14.14044
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $14.69282
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $15.46608
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $18.33842
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $21.5418
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $26.289
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $29.25
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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