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GermanyDMN6068SE-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN6068SE-13
摘要
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 4.1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
22 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
502 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
DMN6068
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN6068SE-13TR
DMN6068SE-13DKR
DMN6068SE-13CT
DMN6068SE13
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN6068SE-13
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规格书
1(DMN6068SE)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
HTML 规格书
1(DMN6068SE)
EDA 模型
1(DMN6068SE-13 by Ultra Librarian)
价格
数量: 28000
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