IPD65R1K0CEAUMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD65R1K0CEAUMA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 650 V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

328 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

68W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD65R1

其它名称

448-IPD65R1K0CEAUMA1TR

SP001421368

IPD65R1K0CEAUMA1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD65R1K0CEAUMA1

价格

数量: 25000

单价: $2.62748
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 12500

单价: $2.69663
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $2.80034
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $3.00777
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

替代型号

型号 : IPD70R900P7SAUMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,455
单价. : ¥7.08000
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制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 1,246
单价. : ¥11.13000
替代类型. : 类似

型号 : TSM80N1R2CP ROG

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 0
单价. : ¥43.17000
替代类型. : 类似

型号 : FCD900N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 2,262
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 类似

型号 : STD9N80K5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥9.55947
替代类型. : 类似

型号 : STD6N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥11.77000
替代类型. : 类似

E3ZM-CT61 5M RLP02360R0FS14 LC4384B-5FN256C 1200868373 65863-865PLF

IPD65R1K0CEAUMA1

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