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GermanyNTHC5513T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTHC5513T1G
摘要
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.9A，2.2A 1.1W 表面贴装型 ChipFET™
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A，2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180pF @ 10V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
ChipFET™
基本产品编号
NTHC5513
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTHC5513T1GOS-ND
NTHC5513T1GOS
ONSNTHC5513T1G
=NTHC5513T1GOSCT-ND
NTHC5513T1GOSTR
NTHC5513T1GOSDKR
NTHC5513T1GOSCT
2156-NTHC5513T1G-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTHC5513T1G
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规格书
1(NTHC5513)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Obsolete Notice 15/Dec/2022)
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NTHC5513)
EDA 模型
1(NTHC5513T1G by Ultra Librarian)
价格
数量: 15000
单价: $4.10084
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $4.26103
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $4.48529
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $4.53365
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.74262
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.9519
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $8.919
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.94
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
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