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GermanyR6007KNX
元器件型号详细信息
原厂型号
R6007KNX
摘要
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
详情
通孔 N 通道 600 V 7A（Tc） 46W（Tc） TO-220FM
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
620 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
470 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
46W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
R6007
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
R6007KNXDKRINACTIVE
R6007KNXCTINACTIVE
846-R6007KNX
R6007KNXDKR-ND
R6007KNXCT
R6007KNXDKR
R6007KNXCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor R6007KNX
相关文档
规格书
1(R6007KNX)
其他相关文档
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产品培训模块
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
视频文件
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环保信息
()
特色产品
1(Super Junction-MOS KN Series 600 V)
EDA 模型
1(R6007KNX by Ultra Librarian)
仿真模型
1(R6007KNX Spice Model)
价格
数量: 500
单价: $9.58282
包装: 散装
最小包装数量: 500
包装: 散装
最小包装数量: 500
替代型号
型号 : R6007KNX
制造商 : Rohm Semiconductor
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单价. : ¥14.07000
替代类型. : 参数等效
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