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GermanyPMPB12UN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMPB12UN,115
摘要
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 7.9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 7.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
886 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DFN2020MD（2x2）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号
PMPB12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-PMPB12UN115-NXTR-ND
PMPB12UN,115-ND
568-10451-2
934066861115
2156-PMPB12UN115
568-10451-6
NEXNXPPMPB12UN,115
2156-PMPB12UN,115-ND
568-10451-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PMPB12UN,115
相关文档
环保信息
()
特色产品
1(NXP - RDS(on) MOSFETs in Ultra-Small Packages)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
型号 : PMPB10XNE,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,000
单价. : ¥3.90000
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型号 : DMN2022UFDF-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
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