English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQI7N60TU
元器件型号详细信息
原厂型号
FQI7N60TU
摘要
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
详情
通孔 N 通道 600 V 7.4A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） I2PAK（TO-262）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1430 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），142W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK（TO-262）
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
FQI7N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FAIFSCFQI7N60TU
2832-FQI7N60TU
2156-FQI7N60TU-OS
2832-FQI7N60TU-488
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQI7N60TU
相关文档
规格书
1(FQB7N60, FQI7N60)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FQI7N60TU by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $10.31117
包装: 管件
最小包装数量: 1000
包装: 管件
最小包装数量: 1000
替代型号
-