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GermanyPMV32UP/MIR
元器件型号详细信息
原厂型号
PMV32UP/MIR
摘要
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4A（Ta） 510mW（Ta），4.15W（Tc） TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1890 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
510mW（Ta），4.15W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PMV32UP/MIR
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规格书
1(Discrete Semi Prod. Guide)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 30/Jun/2018)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
EDA 模型
1(PMV32UP/MIR by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : PMV32UP,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,512
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 直接
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制造商 : Vishay Siliconix
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