FDMS86369-F085

元器件型号详细信息

原厂型号

FDMS86369-F085

摘要

MOSFET N-CH 80V 65A POWER56

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 65A（Tc） 107W（Tc） Power56

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

7.5 毫欧 @ 65A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

46 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2470 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

107W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

Power56

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

FDMS86369

其它名称

FDMS86369_F085TR-ND

FDMS86369_F085

FDMS86369-F085CT

FDMS86369_F085CT-ND

2156-FDMS86369-F085-OS

FDMS86369_F085DKR-ND

FDMS86369_F085CT

FDMS86369_F085DKR

ONSONSFDMS86369-F085

FDMS86369_F085TR

FDMS86369-F085TR

FDMS86369-F085DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDMS86369-F085

价格

-

替代型号

型号 : FDWS86369-F085

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 直接

型号 : BSC070N10NS3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.55000
替代类型. : 类似

型号 : BSZ075N08NS5ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 18,994
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似

型号 : CSD19531Q5A

制造商 : Texas Instruments
库存 : 0
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似

型号 : BSC060N10NS3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥23.77000
替代类型. : 类似

型号 : CSD19531Q5AT

制造商 : Texas Instruments
库存 : 137
单价. : ¥16.85000
替代类型. : 类似

型号 : BSC070N10NS5ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 34,805
单价. : ¥14.95000
替代类型. : 类似

CDR31BX472BKYRAC RNCF1210BTC78R7 D16OAS11KGRNGRN 9.18E+12 MFR25SJT-52-270R

FDMS86369-F085

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