IPP023NE7N3GXKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP023NE7N3GXKSA1

摘要

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

详情

通孔 N 通道 75 V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.8V @ 273µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

206 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

14400 pF @ 37.5 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3-1

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP023

其它名称

IPP023NE7N3 G

IPP023NE7N3 G E8177-ND

IPP023NE7N3 GTR

IPP023NE7N3GCTINACTIVE

2156-IPP023NE7N3GXKSA1-448

IPP023NE7N3 GTR-ND

IPP023NE7N3GE8177AKSA1

IPP023NE7N3GDKRINACTIVE

IPP023NE7N3 G-ND

IPP023NE7N3 GCT

IPP023NE7N3 GDKR-ND

IPP023NE7N3 GCT-ND

IPP023NE7N3 GDKR

IPP023NE7N3 GDKRINACTIVE-ND

IPP023NE7N3 GCTINACTIVE-ND

IPP023NE7N3 G E8177

SP000641722

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP023NE7N3GXKSA1

价格

数量: 2000

单价: $26.57939
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $27.97833
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $33.1743
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $38.9696
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $47.564
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $52.95
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRFB3307ZPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,416
单价. : ¥19.87000
替代类型. : 类似

型号 : IRFB3307PBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,001
单价. : ¥20.19000
替代类型. : 类似

型号 : FDP023N08B-F102

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥30.21000
替代类型. : 类似

型号 : STP270N8F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,028
单价. : ¥45.47000
替代类型. : 类似

型号 : FDP020N06B-F102

制造商 : onsemi
库存 : 2,110
单价. : ¥49.61000
替代类型. : 类似

MTSW-114-08-F-S-265 1825J1K00272KCR RCC19DRTN-S734 MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR HTSW-116-14-H-S

IPP023NE7N3GXKSA1

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