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GermanyPSMN1R8-30PL,127
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN1R8-30PL,127
摘要
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详情
通孔 N 通道 30 V 100A（Tc） 270W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
15 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10180 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
270W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
PSMN1R8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NEXNXPPSMN1R8-30PL,127
568-5234
2156-PSMN1R8-30PL,127-NEX
568-5234-ND
568-5234-5
568-5234-5-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
1727-4388
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30PL,127
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规格书
1(PSMN1R8-30PL,127 Datasheet)
PCN 设计/规格
1(Logo Marking Update 30/Nov/2016)
PCN 组装/来源
1(Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PSMN1R8-30PL,127 Datasheet)
价格
数量: 5000
单价: $12.83818
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $13.33968
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $14.04175
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $16.64946
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $19.5584
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $23.873
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $26.55
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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