元器件型号详细信息

原厂型号
DMN3013LDG-7
摘要
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
详情
MOSFET - 阵列 30V 9.5A(Ta),15A(Tc) 2.16W(Ta) 表面贴装型 PowerDI3333-8(D 类)
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
22 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.5A(Ta),15A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14.3 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
600pF @ 15V
功率 - 最大值
2.16W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
PowerDI3333-8(D 类)
基本产品编号
DMN3013

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN3013LDG-7

相关文档

规格书
1(DMN3013LDG)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)

价格

数量: 25000
单价: $2.11061
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 10000
单价: $2.19504
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 5000
单价: $2.27946
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $2.44832
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $2.70159
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

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