IPB097N08N3 G

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB097N08N3 G

摘要

MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 80 V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

80 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

70A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9.7 毫欧 @ 46A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 46µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

35 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2410 pF @ 40 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

100W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB097N

其它名称

IPB097N08N3 GDKR-ND

IPB097N08N3 GCT

IPB097N08N3 G-ND

IPB097N08N3 GTR-ND

IPB097N08N3 GCT-ND

IPB097N08N3GCT

IPB097N08N3G

IPB097N08N3GTR

IPB097N08N3 GDKR

IPB097N08N3GDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB097N08N3 G

价格

-

替代型号

型号 : IRFS3607TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 32,005
单价. : ¥12.56000
替代类型. : 类似

型号 : IPB067N08N3GATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,940
单价. : ¥22.10000
替代类型. : 类似

型号 : FDB088N08

制造商 : onsemi
库存 : 334
单价. : ¥23.37000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN012-80BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,000
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN008-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 770
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

型号 : BUK9609-75A,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 52
单价. : ¥25.76000
替代类型. : 类似

型号 : HUF75545S3ST

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥29.10000
替代类型. : 类似

型号 : BUK9616-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,322
单价. : ¥13.36000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN8R7-80BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,678
单价. : ¥14.31000
替代类型. : 类似

ACC61DTKN EMOLD0240321P CX10S-CBHB0B-P-A-DK00000 RPC631R5JTE SXT21412FD48-27.120M

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