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GermanyBSC0802LSATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC0802LSATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 20A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8-7
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 115µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6500 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC0802
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001614074
448-BSC0802LSATMA1CT
448-BSC0802LSATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC0802LSATMA1
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规格书
1(BSC0802LS)
EDA 模型
1(BSC0802LSATMA1 by Ultra Librarian)
价格
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替代型号
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