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GermanyBFP720ESDH6327XTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BFP720ESDH6327XTSA1
摘要
RF TRANS NPN 4.7V 43GHZ SOT343
详情
RF 晶体管 NPN 4.7V 30mA 43GHz 100mW 表面贴装型 PG-SOT343-4-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
30 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
4.7V
频率 - 跃迁
43GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益
11dB ~ 30.5dB
功率 - 最大值
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
160 @ 15mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30mA
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装
PG-SOT343-4-2
基本产品编号
BFP720
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
BFP 720ESD H6327CT
BFP 720ESD H6327DKR
BFP 720ESD H6327TR
BFP720ESDH6327XTSA1TR
2156-BFP720ESDH6327XTSA1
BFP 720ESD H6327
SP000785484
BFP 720ESD H6327TR-ND
BFP720ESDH6327
BFP 720ESD H6327DKR-ND
BFP 720ESD H6327CT-ND
BFP720ESDH6327XTSA1CT
BFP720ESDH6327XTSA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极射频晶体管/Infineon Technologies BFP720ESDH6327XTSA1
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HTML 规格书
1(BFP720ESD)
仿真模型
1(Infineon-RFTransistor-AWR_MWO_Design_Kit-SM-v02_10-EN Spice Model)
价格
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