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GermanyFQD7P06TM
元器件型号详细信息
原厂型号
FQD7P06TM
摘要
MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 5.4A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
451 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
295 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FQD7P06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQD7P06TMTR
FQD7P06TMDKR
FQD7P06TM-ND
FQD7P06TMCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQD7P06TM
相关文档
规格书
1(FQD7P06)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Parts obs 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
数量: 2500
单价: $2.39076
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $6.2
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $6.2
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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